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「固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究」(共著)(『日本結晶成長学会誌』 38(4), 274-279, 2012年) 「GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討」(共著)(『日本結晶成長学会誌』 38(2), 128-136, 2011年)
液相エピタキシー(LPE)を使用して6 mAしきい値GaAsデバイスを備えた埋め込み閉じ込めVCSELを製作した。大きな進歩は、1988年に伊賀と小山(同じく東京工業大学)がGaAs基板上で波長894 nmの室温で連続動作(CW)を達成したことであろう。デバイスは有機金属化学気相
MBE装置は下記のような要素から構成される。用途や原料によって詳細は異なる。 原料供給機構 製膜用真空チャンバー 試料交換用チャンバー 超高真空排気機構(真空ポンプ類および残留ガス吸着機構(液体窒素シュラウドなど)) 真空計 分子線量のモニタリング機構 試料のモニタリング機構 MBE法が他の真空蒸着法と異なるのは、求められ