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ヨウ化ガリウム(III)(ヨウかガリウム、gallium(III) iodide)は化学式が Ga2I6 と表される、最も一般的なガリウムのヨウ化物である。化学輸送法でヒ化ガリウムの純粋な結晶を得るときにヨウ素が輸送媒体として用いられるが、このとき可逆的に GaI3 が生じている。 ヨウ化ガリウム
ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイ
の感度の向上をもたらすため、ガルフェノールはソナー研究者の興味を引く材料である。ガルフェノールは、振動エネルギー発電、精密工作機械向けのアクチュエータ、アクティブ防振システム、ふるいやスプレーノゾル向けの目詰まり防止装置での利用も提案されている。ガルフェノールは機械加工が可能であり、シート状やワイヤー状で生産することができる。
他のGOES衛星の故障に備えて待機している。 打ち上げ時の重量は3,238キログラム (7,139 lb)だった。設計寿命は10年で電力は1枚のガリウム砒素太陽電池から2.3kWが供給される。A24セルのニッケル水素蓄電池が搭載されており、食に入る時間帯の電力の供給に使用される。
レイが、衛星本体から南北各々の方向に展開される。各々の太陽電池アレイは、1翼当たり5枚の太陽電池パネルから組み立てられている。パネルは、高効率の砒化ガリウム化合物半導体で作られた太陽電池セルから成る。また太陽電池アレイの両側には、太陽電池に当たる太陽光線を増強して太陽電池の発電効率を上げる為に、反射
ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、英: gallium arsenide)はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
ムやリンで置き換わったことによって石英の2倍の圧電効果を有する。この石英に勝る圧電効果によって技術的応用に多くの利点を有しており、水晶振動子の電気機械結合係数(en:Electromechanical coupling coefficient)を高める等の用途に用いられる。石英と違いリン酸ガリウムは自然から産出しない。
報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の