ガン・ダイオードとは? - 日本語辞典 Mazii

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ガン・ダイオード

ガン・ダイオード（英: Gunn diode）は、マイクロ波発振器などに使われるダイオードの一種。通常のダイオードがP型半導体とN型半導体から構成されるのに対し、ガン・ダイオードはN型半導体のみにより構成される。物理学者ジョン・B・ガン（英語版）の名に由来する。

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Các từ liên quan tới ガン・ダイオード

ガン

〖gun〗

ダイオード

〖diode〗

トンネルダイオード

トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴とするもの。 1957年8月、東京通信工業（現ソニー）の江崎玲於奈と助手の黒瀬百合子が発明した。江崎はこの半導体内のトンネル効果の発

電界効果トランジスタ

、JFETのゲートをソースと直結し2端子化して定電流ダイオードと称した部品がある。順方向の使用で定電流の性能を発揮し、発光ダイオードの電流制限などに利用されている。ダイオードの名で、パッケージもダイオードと同じものを使っているが、本来のダイオードとは構造は全く異なり，逆方向の電流を制限する整流作用もない。

III-V族半導体

はその多くが直接遷移型の半導体であるため、発光ダイオード・レーザダイオードをはじめとする発光素子に用いられる。またケイ素とはバンドギャップエネルギーが異なるため、フォトダイオードといった受光素子にも用いられる。例えば現在の赤・緑・青色などの発光ダイオードは、ほぼすべてIII-V族半導体を材料としてい