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反応性スパッタ法(はんのうせいスパッタほう)は、スパッタリングの手法の一つ。スパッタにより薄膜を作製する際に、酸素や窒素などのガスをチャンバー内に流すことで、ターゲット構成物質に含まれる成分とガスとの生成物質を薄膜として堆積させる。 ターゲットにSiを含む材料をターゲットとして、酸素を含むガスを導
immersion mirror) SIMS - 二次イオン質量分析法(Secondary ion mass spectrometry) SNMS - スパッタ中性粒子質量分析(Sputtered neutral species mass spectrometry) SNOM - 走査型近接場光顕微鏡(Scanning
中川 茂樹(なかがわ しげき)は、日本の工学者。東京工業大学大学院工学研究科教授。研究室では、スパッタ法を用いた磁性薄膜工学および磁気記録技術に関する研究を行っている。 1983年 金沢大学工学部電気工学科卒業。 1985年 金沢大学大学院工学研究科修了。東京工業大学工学部助手。 1993年 工学博士(東京工業大学)。