スピン注入メモリとは? - 日本語辞典 Mazii

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スピン注入メモリ

スピン方向が、硬磁性体の磁化方向と同じ向きに電子のスピン方向が揃えられて通過させられることを利用し、障壁層を挟んだ先にある軟磁性体の記録層（自由層）との間にスピン注入磁化反転を起こさせ、参照層と同じ向きに磁化を反転させる。逆に参照層から記録層へ電子の流れを起こせば、参照層の磁化方向と同じスピン

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Các từ liên quan tới スピン注入メモリ

スピン

〖spin〗

イオン注入

一般的なイオン注入装置は、打ち込む元素のイオンを発生させるイオン源、必要なイオンだけを選別する質量分析機構、イオンを電気的に加速する加速器、対象物であるターゲットを高真空状態で保持するチャンバーから構成される。イオンは単一の元素が使われる。ドーズ量と呼ばれる注入された物質の総量はイオン

ホットキャリア注入

「ホットエレクトロン」は、正孔と再結合したりコレクターに向かって材料中を流れることはせず、半導体材料をトンネルする。その結果リーク電流が増加したり、ホットキャリアが周囲の絶縁膜の原子構造を乱して絶縁膜にダメージを与える。ホットエレクトロン

スピン-スピン緩和

によって特徴づけられる。磁化ベクトルの緩和には、他にもスピン-格子緩和（縦緩和）がある（詳細は核磁気共鳴#緩和を参照）。スピン-スピン緩和時間 T2 は、縦磁化ベクトルが静磁場に垂直な方向へと倒された直後の磁気共鳴信号： M x y ( t ) = M x y ( 0 ) e − t / T 2 {\displaystyle

ECCメモリ

ECCメモリ（Error-correcting code memory, Error checking and correction memory、Error check and correct memory）とは、コンピュータの記憶装置の種類の1つで、データ破損（英語版）を検出し修正する機能を持つ

メモリ・リフレッシュ

ロックが失われるのを防ぐために、リフレッシュ信号の周囲に余分な回路やロジックを構築する必要があった。文脈によっては、割り込みを利用して適切なタイミングで8ビット目を反転させ、Rレジスタの全範囲（256行）をカバーすることも可能であった。CPUからのリフレッシュ信号がこのカウンタのクロック

レーストラック・メモリ

電力、不揮発性、低コストを兼ね備えるとされる。レーストラック・メモリの基本的な原理は、磁気メモリでHDDとMRAMの特長を兼ね備え、細長いワイヤ状の磁性体(磁気ナノワイヤ)を磁区で細かく区切り、磁区における磁化の方向でデータを記録し、読み出すのでフラッシュメモリのように電荷の移動を伴わないため、書き込み、読み出しの高速化が可能。