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錯体の中で, 中心の原子に配位している原子・分子・イオン。 リガンド。
三座配位(英語版)トリホスフィンは2種類に分類され、直線型と三点架橋型がある。これらの配位子はどちらもtriphos(英語版)と呼ばれる。フェニル置換された配位子の化学式はそれぞれCH3C(CH2PPh2)3とPhP(CH2CH2PPh2)2である。 三点架橋型ホスフィン四座配位子
一個の中性またはイオンとなった原子をとり囲んで, 複数個の原子・分子・イオンが配列すること。 特に, 錯体の中で, 中心の原子に対して, 空間的に一定の位置を占めた配位子が結合すること。
配位結合する場所を持たない配位子は、単座配位子(たんざはいいし、英語:monodentate ligand)と呼称する。 エチレンジアミン - 最大で2箇所の配位結合を作る能力を持った、2座配位子である。 エチレンジアミン四酢酸の陰イオン - 最大で6箇所の配位
多孔性材料として注目を集める(多孔性ではない配位高分子も多数報告されている)。 多孔性材料としては一般的に活性炭やゼオライトがよく知られており、他にもメソポーラスシリカ、メソポーラスアルミナ、有機多孔体など、多様な多孔性材料がある。広い意味でとらえればRO膜やイオン交換膜も多孔
第一配位圏(だいいちはいいけん、primary or first coordination sphere)または単に配位圏(はいいけん、Coordination sphere)とは、錯体中の金属イオンに直接配位子が結合する範囲のことである。 第二配位圏 配位数 配位子円錐角 配位幾何構造 表示 編集
用いられる。結晶中の原子を剛体球と考え、注目している原子に接する原子の数が配位数となる。 例えば体心立方格子構造・面心立方格子構造・六方最密充填構造の単結晶の配位数はそれぞれ8、12、12となる。 単結晶以外の準結晶や液体、アモルファスについては配位数を明確に数えることはできない。このときの(第一)
配位子場理論(はいいしばりろん、英: ligand field theory)とは、金属錯体のd軌道の分裂を、「金属のd軌道と配位子の軌道との間の相互作用」によって説明する理論である。 結晶場理論においてはd軌道の縮退が解ける原因を配位子の持つ負電荷が作る静電場に求めており、その結果、同じ価数の陰