トンネル電界効果トランジスタとは?

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トンネル電界効果トランジスタ

サブスレッショルド振幅はトランジスタの速度に比例する（サブスレッショルド振幅が低いほどトランジスタはファンアウト（連続容量負荷）を速く充電することができる）。所与のトランジスタ速度と最大許容サブスレッショルドリークに対して、サブスレッショルドスロープは最小閾値電圧を定義する。スレッショルド電圧

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電界効果トランジスタ

、JFETのゲートをソースと直結し2端子化して定電流ダイオードと称した部品がある。順方向の使用で定電流の性能を発揮し、発光ダイオードの電流制限などに利用されている。ダイオードの名で、パッケージもダイオードと同じものを使っているが、本来のダイオードとは構造は全く異なり，逆方向の電流を制限する整流作用もない。

有機電界効果トランジスタ

解析するために用いられている。たとえば、注入された電荷の到達時間を計るためのHaynes-Shockley法や、バルク中の電荷移動度を測定するための過渡光電流測定法（TOF法）や、絶縁膜中の電界分布を測定するためのpressure-wave propagation法や、ゲート絶縁膜界面での分極の配向

トンネル効果

トンネル効果（トンネルこうか、英: tunnelling effect）は、量子力学において、波動関数がポテンシャル障壁を超えて伝播する現象である。 20世紀初頭に予言され、20世紀半ばには広く認知される物理現象となった。トンネル効果は、ハイゼンベルクの不確定性原理と、物質における粒子と波動の二重性を用いて説明できる。