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アバランシェフォトダイオード(英: avalanche photodiode)とは、アバランシェ増倍と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたフォトダイオードである。略称はAPD。1952年、西澤潤一によって発明された。 半導体中に大きな電場があると、光子の衝突によって発生する電子が加速され、他の
受光面に直接露出していないベース領域が埋め込み層として光電荷蓄積部となる構造を持つ。 埋込フォトダイオード(または埋め込みフォトダイオード)の構造や動作原理については多くの解説があるが、一例として「電子情報通信学会「知識ベース」8 群-4 編-1 章」のP46などがある。 最初のNPNP接合型の埋