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ヘテロ接合(ヘテロせつごう、英語:heterojunction)とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。 半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合する
ホモ接合(ホモせつごう) ⇔ ヘテロ接合 ホモ接合型【遺伝学】 ホモ接合【半導体】 このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の意味・職能を有する場合の水先案内のために、異なる用法を一覧にしてあります。お探しの用語に一番近い記事を選んで下さい。このページへリンクしているページを見つけ
接触整流器の特許を取得した。 1907年にジョージ・ワシントン・ピアース(英語版)は、学術雑誌フィジカル・レビューに、ダイオードの整流特性は多くの半導体上に多くの金属をスパッタリングすることによって作られることを示した論文を発表した。 金属-半導体ダイオード整流器
ホモ接合型(ホモせつごうがた、英: homozygous)またはホモ接合体、同型接合体は、遺伝学において、二倍体生物のある遺伝子座が AA , BB , aa , bb などのように同一の対立遺伝子をもつ個体のことである。また、この状態を「ホモ接合である」という。 これに対し Aa , Bb
半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。 なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。 一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則
化合物半導体(かごうぶつはんどうたい、英:Compound Semiconductor)とは、2種類以上の元素が結合してできる半導体である。こうした半導体は基本的に共有結合結晶であり、結晶構造は閃亜鉛鉱型構造やウルツ鉱型構造が多い。またアモルファス半導体となるものもある。化合物半導体
ブレークダウン電圧、などのパラメータ測定ができる。ダイアックのようにトリガーできる素子の場合は、順方向・逆方向のトリガー電圧が明確に表示される。トンネルダイオードのように負性抵抗を持つ素子がもつ非連続的な特性も表示される。 主掃引ターミナル出力は、数千ボルトまでの印加が可能であり、また低電圧時には
数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込み