抵抗変化型メモリとは? - 日本語辞典 Mazii

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抵抗変化型メモリ

電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速といったデバイスとしての利点がある。電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化

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Các từ liên quan tới 抵抗変化型メモリ

磁気抵抗メモリ

磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い

相変化メモリ

時間のかかるチャージポンプ回路によって供給されている。したがって、通常のフラッシュメモリの（1ブロックの）書き込み時間はおおよそ100 µs程度であり、非常に遅い。例えば、SRAMの（1バイトの）読み込み時間10 nsと比較するとこれは10,000倍の遅さである。一方、PCMは高速な書き込み

抗抵

こうてい

手向かうこと。抵抗。

抵抗

ていこう

(1)外から加えられる力に逆らったり，張り合ったりすること。手向かうこと。さからうこと。

可変抵抗器

3端子型の可変抵抗器をポテンショメータと言う。詳細は当該記事を参照。抵抗体の一端と可動接点との間のみを使用する、2端子型の可変抵抗器をレオスタットと呼ぶ。3端子の可変抵抗器をレオスタット的に使用する場合、チャタリング防止のため抵抗体の他端は通常、可動接点に接続して使用する。分圧回路液体抵抗器表示編集

抵抗器

である。一般的には誤差と称される。抵抗温度係数抵抗器の温度変化に対する抵抗値変化の割合。単位は ppm/℃ である。抵抗器はその形状や機能、構造によって幾つかの種類が存在する。現在、電子機器で使用される小型抵抗器の大部分は、リード線（金属製の脚）を持たない表面実装（表面実装技術）パッケージ（チップ抵抗