ドレイン誘起障壁低下とは?

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ドレイン誘起障壁低下

するため加えられる逆バイアスが無くても、短チャネル長での電荷バランスでの重要なパートナーになる。 DIBLという言葉は単純な閾値調整の概念を超えて拡張される。以下で記述する単純な閾値電圧変化に関して記述を超えるMOSFETのI-V曲線上の数多くのドレイン-電圧効果のことを言う。

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Các từ liên quan tới ドレイン誘起障壁低下

ドレイン

ドレインもしくはドレーン (drain)は英語の、「液体の流入ないしは流出により、所定の場所から液体を取り除くこと」を意味する他動詞ないしは自動詞に由来する。排水を流しだす口（排水口）のこと。電界効果トランジスタの端子の一つ。キャリアが流れ出る先であるため。ドレーン工法 -

障壁

しょうへき

(1)囲いや仕切りの壁。

誘起

ゆうき

刺激して発生させること。

クーロン障壁

クーロン障壁（英:Coulomb barrier）は、2つの原子核が原子核反応を起こすために十分近づくために超える必要がある、静電相互作用によるエネルギー障壁のこと。この名称はクーロンの法則にちなむ。このエネルギー障壁は、静電ポテンシャルエネルギーにより与えられる。 U c o u l = k q

ポテンシャル障壁

ポテンシャル障壁（ポテンシャルしょうへき）とは、近距離では引力が、遠距離では斥力が働くことにより、障壁のように図示されるポテンシャル。古典力学では物体がポテンシャル障壁を乗り越えることは、ポテンシャルの高さよりエネルギーが大きくない限りできないが、粒子を波として考える量子力学においてはポテンシャル障壁を通過できる場合がある（トンネル効果）。

低下

ていか

(1)低くなること。低い所に移ること。

低障壁水素結合

55 Åまで短くなると、エネルギー障壁が小さくなることによって零点エネルギーとエネルギー障壁が近づき、プロトンは両方の原子間を自由に（低障壁で）移動でき、ドナー・アクセプター間にプロトンが広く分布する低障壁水素結合型となる。この距離がさらに短くなる（< 2.29 Å）と、この結合は特に「短くて強い水素結合