ナノインプリント・リソグラフィとは?

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ナノインプリント・リソグラフィ

ナノインプリント・リソグラフィとは現在開発が進められている半導体の微細パターン転写技術である。従来のパターン作成には縮小投影型露光装置（ステッパー）が使用されていたが、微細化に伴い、極端紫外線露光装置の価格とパターンマスクの価格が高騰していて、導入に躊躇する半導体メーカーが続出しており、普及の妨げ

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Các từ liên quan tới ナノインプリント・リソグラフィ

極端紫外線リソグラフィ

極端紫外線リソグラフィ (Extreme ultraviolet lithography、略称：EUVリソグラフィまたは EUVL) は、極端紫外線（英語版）、波長13.5 nmにて露光する次世代露光技術である。 EUVLは、2018年から実用化されている露光技術であり、7nmノード以下の露光に使

リソグラフィ

リソグラフィ（Lithography）石版に絵や字を描くこと。リトグラフを参照。ナノリソグラフィの略。半導体、集積回路、印刷用の版を作成するのに用いられる。このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の意味・職能を有する場合の水先案内のために、異なる用法を一覧にしてあります。お探

マスクレスリソグラフィ

2013年、Swinburne工科大学は異なる波長の2本の光学ビームを組み合わせて使用することにより9 nmのサイズに52 nm間隔に到達したと発表した。集束イオンビームシステムはイオン注入用や他の形式では対応できない用途において現在一般的に使用される。 IBMは原子間力顕微鏡の技術を元にした代替マスクレスリソグラフィーを開発した。参照

自己組織化リソグラフィ

b 生井準人, 杉田光, 日城良樹. "自己組織化材料の半導体微細パターニングへの応用" JSR テクニカルレビュー 119 (2012): 7-13. ^ a b c d MITとSRC、誘導自己組織化（DSA）による微細パターン形成を容易にするテンプレート設計法白鳥世明、「交互吸着自己組織化膜のナノ構造制御とデバイス応用」