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ヘテロ接合(ヘテロせつごう) ⇔ ホモ接合 ヘテロ接合型【遺伝学】 ヘテロ接合 (半導体) このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の意味・職能を有する場合の水先案内のために、異なる用法を一覧にしてあります。お探しの用語に一番近い記事を選んで下さい。このページへリンクしているペー
ヘテロ接合(ヘテロせつごう、英語:heterojunction)とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。 半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合する
ホモ接合型(ホモせつごうがた、英: homozygous)またはホモ接合体、同型接合体は、遺伝学において、二倍体生物のある遺伝子座が AA , BB , aa , bb などのように同一の対立遺伝子をもつ個体のことである。また、この状態を「ホモ接合である」という。 これに対し Aa , Bb
接合型トランジスタである成長接合型トランジスタが試作され、続いて1951年には合金型トランジスタがRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された。 当初、成長接合型トランジスタは品質が安定していなかったため、大量生産には適しておらず、合金接合型トランジスタは最初に大量生産された接合
〖hetero〗
(1)物と物とをつなぎ合わせること。
溶着される細い金線にはガリウムが含まれていたので溶着部の溶融再結晶化部分には大量のガリウムが含まれ、高濃度のN型とP型が接触することになり、金線の溶着部がエミッタからコレクタにまたがっていた事が原因だった。エミッタの濃度を適切にすれば溶着部
ショットキー接合(ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction)は、整流作用を示す金属-半導体接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショ