成長接合型トランジスタとは?

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成長接合型トランジスタ

溶着される細い金線にはガリウムが含まれていたので溶着部の溶融再結晶化部分には大量のガリウムが含まれ、高濃度のN型とP型が接触することになり、金線の溶着部がエミッタからコレクタにまたがっていた事が原因だった。エミッタの濃度を適切にすれば溶着部

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合金接合型トランジスタ

接合型トランジスタである成長接合型トランジスタが試作され、続いて1951年には合金型トランジスタがRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された。当初、成長接合型トランジスタは品質が安定していなかったため、大量生産には適しておらず、合金接合型トランジスタは最初に大量生産された接合

点接触型トランジスタ

特性のバラツキが大きく、品質管理が困難高周波には適さない振動に対して弱い初期のラジオやコンピュータなどに使用されたが、接合型トランジスタの普及により、短期間で廃れた。 ^ a b c d “半導体の歴史その5 20世紀前半トランジスターの誕生” (PDF), SEAJ Journal 3 (119): 12-19, (2009)

拡散接合トランジスタ

テキサス・インスツルメンツは1954年に最初の成長接合シリコントランジスタを作った。初期の拡散接合型トランジスタは、初期の合金接合トランジスタと同様、合金エミッタと、時には合金コレクタを備えていた。ベースだけが基板に拡散していた。基板がコレクタを形成することもあったが、フィルコのマイクロ合金拡散トランジスタのように、基板がベースの大部分を占めているトランジスタもあった。

プレーナー型トランジスタ

1947年12月に点接触型トランジスタが開発されて以降、合金接合型トランジスタ、成長接合型トランジスタ、メサ型トランジスタのような接合型トランジスタが開発されてきたが、それぞれ生産性が低くかったり、品質(特に高周波特性)が安定していないなど、一長一短があった。合金接合型トランジスタは量産性に関しては比較的優れて