不純物半導体とは? - 日本語辞典 Mazii

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不純物半導体

n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。 n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}} ドーピングした不純物が全てイオン化している場合を考える。非縮退半導体の伝導帯の電子濃度

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Các từ liên quan tới 不純物半導体

不純物伝導

不純物伝導（ふじゅんぶつでんどう）とは、電気伝導の中でも、不純物準位の中で動く自由電子によって発生するものである。低濃度ではホッピングによる伝導が、高濃度では不純物中のキャリアによる伝導が発生する。ただ、濃度が低すぎると互いの波動関数が重ならず、通常の伝導となる。 ^ ブリタニカ国際大百科事典小項目事典

半導体

半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則

不導体

ふどうたい

熱または電気を非常に伝えにくい物体。絶縁体。不良導体。

不純物

不純物（ふじゅんぶつ）とは、ある物質に、それ以外の物質が僅かに含まれている場合、その本来の物質以外の別の物質のことを指す。不純物は欠陥の一種である。一般には、不純物の存在は、本来の物質の性質を損なうことになる場合が多く、通常は不純物をいかに取り除くかに多くの努力が費やされる。ただ、一方では逆に不純

酸化物半導体

(Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)." ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based

窒化物半導体

窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり、また