窒化物半導体とは? - 日本語辞典 Mazii

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窒化物半導体

窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり、また

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Các từ liên quan tới 窒化物半導体

酸化物半導体

(Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)." ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based

化合物半導体

化合物半導体（かごうぶつはんどうたい、英：Compound Semiconductor）とは、2種類以上の元素が結合してできる半導体である。こうした半導体は基本的に共有結合結晶であり、結晶構造は閃亜鉛鉱型構造やウルツ鉱型構造が多い。またアモルファス半導体となるものもある。化合物半導体

窒化物

潤滑剤；窒化ホウ素切削素材；窒化ケイ素絶縁体；窒化ホウ素、窒化ケイ素半導体；窒化ガリウム金属塗装；窒化チタン水素吸蔵；窒化リチウムこのように多様な物質の分類法は必然的に恣意的となる。以下は構造で分類したものである。水素の窒化物 - アンモニア、ヒドラジン、トリアザンイオン結晶 - 窒化リチウム、窒化ベリリウム

半導体

半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則

不純物半導体

n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。 n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}} ドーピングした不純物が全てイオン化している場合を考える。非縮退半導体の伝導帯の電子濃度

半導体カーブトレーサー

ブレークダウン電圧、などのパラメータ測定ができる。ダイアックのようにトリガーできる素子の場合は、順方向・逆方向のトリガー電圧が明確に表示される。トンネルダイオードのように負性抵抗を持つ素子がもつ非連続的な特性も表示される。主掃引ターミナル出力は、数千ボルトまでの印加が可能であり、また低電圧時には

半導体メモリ

数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込み

スピンギャップレス半導体

スピンギャップレス半導体（スピンギャップレスはんどうたい）は、磁性体である量子物質の一種。上下のスピンバンドが交換分裂しており、そのそれぞれの電子構造がエネルギーギャップを有している。スピンギャップレス半導体の磁気特性や磁気変調特性は電場によって操作することが可能である。代表例としてマンガン・コバル