強誘電体メモリとは? - 日本語辞典 Mazii

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強誘電体メモリ

強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリ

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Các từ liên quan tới 強誘電体メモリ

強誘電体

{C}{T-T_{\mathrm {c} }}}} なお、秩序‐無秩序型では温度が上昇してキュリー温度に近づくにつれ自発分極は連続的に減少して0となる。これは「二次相転移」と呼ばれる。また、変位型ではキュリー温度で不連続に分極量が変化するため、「一次相転移」と呼ばれる。詳しくは相転移の該当する記事を参照のこと。

誘電体

誘電率を有することは光学材料として極めて重要であり、光ファイバー、レンズの光学コーティング､非線形光学素子などに用いられている。誘電分極を参照誘電率は電界の周波数に依存する。これを誘電分散と呼ぶ。空間電荷分極と配向分極は緩和型、イオン分極と電子分極は共鳴型の誘電分散を示す。誘電緩和とは、物質の誘電率の瞬間的な遅れのこと。

強誘電体浮遊ゲートメモリ

分極状態に依って検出される電流が変わるので、データが0か1かを判別できる。なお、この方式では、読み出し時に強誘電体膜の分極電荷は変化しないので非破壊読み出し(NDRO)であり、且つ、メモリセルの構造も単純で済む。しかし、現時点では、微細化に伴うFETのゲート絶縁膜界面

半導体メモリ

数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込み

強電

きょうでん

(1)工業などで使う大電流・高電圧・大電力のこと。

誘導体

母体の構造や性質を大幅に変えない程度の改変がなされた化合物のこと。その改変は実際の化学反応として行えることもあるが、机上のものでも構わない。例えば、クロロベンゼンはベンゼンのクロロ誘導体、チオフェノールはフェノールのチオ誘導体と表現される。反応中間体同族体異性体類縁体前駆体表示編集

誘電体多層膜

誘電体多層膜（ゆうでんたいたそうまく）とは、屈折率 n1 と屈折率 n2 … n3 … を有する複数の（誘電体材料による）光学薄膜の積層体。ダイクロイックミラーやバンドパスフィルターなどを通常は蒸着（Ion Assisted Deposition によるイオン打ち込み蒸着）を用いて作製する。

誘電率

誘電率（ゆうでんりつ、英語: permittivity）は物質内で電荷とそれによって与えられる力との関係を示す係数である。電媒定数ともいう。各物質は固有の誘電率をもち、この値は外部から電場を与えたとき物質中の原子（あるいは分子）がどのように応答するか（誘電分極の仕方）によって定まる。電束密度を D、電場の強度を