強誘電体浮遊ゲートメモリとは?

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強誘電体浮遊ゲートメモリ

分極状態に依って検出される電流が変わるので、データが0か1かを判別できる。なお、この方式では、読み出し時に強誘電体膜の分極電荷は変化しないので非破壊読み出し(NDRO)であり、且つ、メモリセルの構造も単純で済む。しかし、現時点では、微細化に伴うFETのゲート絶縁膜界面

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強誘電体

{C}{T-T_{\mathrm {c} }}}} なお、秩序‐無秩序型では温度が上昇してキュリー温度に近づくにつれ自発分極は連続的に減少して0となる。これは「二次相転移」と呼ばれる。また、変位型ではキュリー温度で不連続に分極量が変化するため、「一次相転移」と呼ばれる。詳しくは相転移の該当する記事を参照のこと。

強誘電体メモリ

強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリ

誘電体

誘電率を有することは光学材料として極めて重要であり、光ファイバー、レンズの光学コーティング､非線形光学素子などに用いられている。誘電分極を参照誘電率は電界の周波数に依存する。これを誘電分散と呼ぶ。空間電荷分極と配向分極は緩和型、イオン分極と電子分極は共鳴型の誘電分散を示す。誘電緩和とは、物質の誘電率の瞬間的な遅れのこと。