拡散接合トランジスタとは?

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拡散接合トランジスタ

テキサス・インスツルメンツは1954年に最初の成長接合シリコントランジスタを作った。初期の拡散接合型トランジスタは、初期の合金接合トランジスタと同様、合金エミッタと、時には合金コレクタを備えていた。ベースだけが基板に拡散していた。基板がコレクタを形成することもあったが、フィルコのマイクロ合金拡散トランジスタのように、基板がベースの大部分を占めているトランジスタもあった。

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Các từ liên quan tới 拡散接合トランジスタ

拡散型トランジスタ

拡散型トランジスタ（かくさんがたトランジスタ）とはトランジスタの一形式。 1947年12月にベル研究所で点接触型トランジスタが開発されたものの、品質(特に高周波特性)が安定せず、歩留まりも低いため、量産には適さなかった。その後、それらの欠点を改良した合金接合型、成長接合型のような接合型トランジスタ

拡散

かくさん

(1)ひろがりちること。

合金接合型トランジスタ

接合型トランジスタである成長接合型トランジスタが試作され、続いて1951年には合金型トランジスタがRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された。当初、成長接合型トランジスタは品質が安定していなかったため、大量生産には適しておらず、合金接合型トランジスタは最初に大量生産された接合

成長接合型トランジスタ

溶着される細い金線にはガリウムが含まれていたので溶着部の溶融再結晶化部分には大量のガリウムが含まれ、高濃度のN型とP型が接触することになり、金線の溶着部がエミッタからコレクタにまたがっていた事が原因だった。エミッタの濃度を適切にすれば溶着部

拡散数

拡散数（かくさんすう、英: diffusion number）とは、陽解法を用いた拡散方程式の数値解析に際して、その数値的安定性を議論する上で重要な無次元数のひとつ。拡散数d は次式で定義される。 d = k Δ t ( Δ x ) 2 {\displaystyle d=k{\dfrac {\Delta