表面障壁型トランジスタとは?

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表面障壁型トランジスタ

表面障壁型トランジスタ（ひょうめんしょうへきがたトランジスタ）は、トランジスタの一形式。 1951年にRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された合金接合型トランジスタの改良型で点接触型トランジスタとも似ている。初期のトランジスタはベース層が厚いため、高周波特性が真空管よりも劣っていた。PN接合では電流の輸送が

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障壁

しょうへき

(1)囲いや仕切りの壁。

プレーナー型トランジスタ

1947年12月に点接触型トランジスタが開発されて以降、合金接合型トランジスタ、成長接合型トランジスタ、メサ型トランジスタのような接合型トランジスタが開発されてきたが、それぞれ生産性が低くかったり、品質(特に高周波特性)が安定していないなど、一長一短があった。合金接合型トランジスタは量産性に関しては比較的優れて

クーロン障壁

クーロン障壁（英:Coulomb barrier）は、2つの原子核が原子核反応を起こすために十分近づくために超える必要がある、静電相互作用によるエネルギー障壁のこと。この名称はクーロンの法則にちなむ。このエネルギー障壁は、静電ポテンシャルエネルギーにより与えられる。 U c o u l = k q

ポテンシャル障壁

ポテンシャル障壁（ポテンシャルしょうへき）とは、近距離では引力が、遠距離では斥力が働くことにより、障壁のように図示されるポテンシャル。古典力学では物体がポテンシャル障壁を乗り越えることは、ポテンシャルの高さよりエネルギーが大きくない限りできないが、粒子を波として考える量子力学においてはポテンシャル障壁を通過できる場合がある（トンネル効果）。