エピタキシャルとは? - 日本語辞典 Mazii

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エピタキシャル成長

エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル

桑原誠

半導体チタン酸バリウムの粒界電子物性に関する研究ゾルーゲル法による電子機能セラミックスの合成と応用電気泳動電着法による電子セラミックス薄膜の合成と応用ナノ結晶酸化物蛍光体の合成と無機EL応用ナノ結晶エピタキシャル結合現象を利用した新規光・電子デバイス作製『岩波講座現代工学の基礎 14 人工物の構造と特性《設計系I》・無機材料

格子整合

格子整合（こうしせいごう）とは、二つの材料の格子定数が一致することである。エピタキシャル成長においては、基板とエピタキシャル層（薄膜）の格子定数を一致させる必要がある。格子整合しない場合には、結晶中には弾性力学的に歪エネルギーが導入され結晶内の結合エネルギー（バンド構造）を変化させるとともに、熱

荒川泰彦

2018年 - 同機構量子イノベーション協創センター長東京大学の榊裕之名誉教授と共にそれまでの量子薄膜構造を更に高度化し、半導体中の電子を次元的に閉じこめるエピタキシャル量子ドット（epitaxial quantum dot）の概念を提示し、またその応用として量子ドットレーザーを提案した。

REBCO

超伝導体は脆いので、線材として必要な屈曲性に劣るが、薄膜化する事により柔軟性を付与する事でき、線材としての応用が可能となる。また、結晶方位によっても臨界電流密度が大きく変わるため、線材の全長に渡って結晶軸を揃えることが不可欠であり、エピタキシャル成長を利用して高配向REBCO膜を作製する技術が要求

栗城眞也

「Magnetocrystalline and uniaxial anisotropy in epitaxial (110) thin films / エピタキシャル(110)薄膜における結晶磁気異方性と一軸異方性」北海道大学博士論文乙第1410号, 1976年, (NAID 500000299476） ^ 渡邊直輝

半導体工学

チョクラルスキー法ゾーンメルト法拡散（熱拡散）・酸化（熱酸化）蒸着スパッタリングスピンコート CVD（化学気相成長法） PVD（物理気相成長法） MBE（分子線エピタキシー法）エピタキシャル成長イオン注入フォトリソグラフィ（パターニング）エッチング FIB（focused ion beam） CMP（化学機械研磨）