高誘電率ゲート絶縁膜とは?

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ゲート絶縁膜

高電気容量。FET相互コンダクタンスを増加させる。厚さ。絶縁破壊やトンネル効果によるリーク電流を避ける。電気容量と厚さの制限はほとんど直接的に互いに対立している。 Si基板を用いたFETでは、基板材料であるシリコンを酸化した熱酸化シリコン

誘電率

誘電率（ゆうでんりつ、英語: permittivity）は物質内で電荷とそれによって与えられる力との関係を示す係数である。電媒定数ともいう。各物質は固有の誘電率をもち、この値は外部から電場を与えたとき物質中の原子（あるいは分子）がどのように応答するか（誘電分極の仕方）によって定まる。電束密度を D、電場の強度を

比誘電率

比誘電率（ひゆうでんりつ、英語: relative permittivity）とは媒質の誘電率と真空の誘電率の比 ϵ r = ϵ ϵ 0 {\displaystyle \epsilon _{r}={\frac {\epsilon }{\epsilon _{0}}}} のことである。比誘電率は無次元量で

絶縁 (電気)

電気における絶縁とは、電気機械や各種の電気回路・電子回路において、感電防止や電位の分離などを目的として、不導体もしくは各種の部品や装置を利用して電流を遮断することである。電気の分野における英語のinsulationとisolationは、どちらも日本語では絶縁と訳されるが、両者はその目的や動作原理によってやや異なる意味合いを持つ。