アンチモン化インジウムとは?

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1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし

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単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ

ウィキメディア・コモンズには、輝安鉱に関連するカテゴリがあります。硫化アンチモン（りゅうかアンチモン、antimony sulfide）はアンチモンの硫化物で、組成式 Sb2S3 で表される。天然には輝安鉱（stibnite）として産出する。融点 550 ℃

塩化アンチモン（えんかアンチモン、antimony chloride）はアンチモンの塩化物である。アンチモンの価数が異なる塩化アンチモン(III) と塩化アンチモン(V) が知られている。三塩化アンチモン（さんえんか—）とも呼ばれる。金属アンチモンに乾いた塩素ガスを作用させると得られる。 2 Sb

SbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィクトール・モーリッツ・ゴルトシュミットによって初めて生み出され、後に改定されるが格子定数を報告され

9である。アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と混晶を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元混晶を形成する。アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオ

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