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インジウム(In) 標準原子量: 114.818(3) u Isotope masses from Ame2003 Atomic Mass Evaluation by G. Audi, A.H. Wapstra, C. Thibault, J. Blachot and O. Bersillon in
n))にサイクロトロンで陽子を照射して製造される。前者の方法は放射性核種の純度が高い為、より一般的に用いられている。 インジウム111は、分子や細胞を放射性標識することにより、放射線医学による画像診断によく用いられる。インジウム111は、放射性崩壊の際に低エネルギーのガンマ(γ)線を放出し、平面または単一
1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし
単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。 安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確
窒化インジウム(ちっかインジウム、indium nitride)は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている(かつては1.97
ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ
酸化スズ(IV)と組み合わせて、透明導電体の酸化インジウムスズ(ITO)として用いられる。 半導体においては、n型半導体として、集積回路の抵抗素子に用いられる。 組織学においては、染色に用いられる。 インジウム 酸化インジウムスズ 磁性半導体 ^ a b Marezio
1021/cr960151d. PMID 11840988. ^ Hunt, P.; Schwerdtfeger, P. (1996). “Are the Compounds InH3 and TlH3 Stable Gas Phase or Solid State Species?”. Inorganic Chemistry