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1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし
単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。 安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確
窒化インジウム(ちっかインジウム、indium nitride)は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている(かつては1.97
ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、英: gallium arsenide)はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
ヒ化物(ヒかぶつ、英: arsenide)は、酸化数が-3のヒ素を含む化合物である。ただし、より広義に使われる場合がある。鉱物のスペリー鉱 (PtAs2) は「ヒ化白金」とも呼ばれるが、これは通常固相で Pt4+As24- の組成であるため、ヒ素の形式酸化数は-2である。孤立したヒ素中心をもつのでヒ化ガリウム
ヒ化カドミウム(ヒかカドミウム、英: cadmium arsenide)は化学式 Cd3As2 で表される無機化合物。結晶構造は正方晶系で、エネルギーギャップ 0.14 eV の狭ギャップ半導体である。室温において電子移動度が非常に大きい、n型半導体の一種であり、アモルファス半導体材料として使用さ
ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイ
〖indium〗