セレン化インジウム(III) とは?

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セレン化インジウム(III)

セレン化インジウム(III)(Indium(III) selenide)は、インジウムとセレンからなる化合物である。光起電力効果を用いたデバイスに利用できる可能性があり、研究が行われている。最も一般的なα相とβ相は、層状構造である。一方、γ相は「格子欠陥を含むウルツ鉱構造」である。α、β、γ、δ及び

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Các từ liên quan tới セレン化インジウム(III)

酸化インジウム(III)

酸化スズ(IV)と組み合わせて、透明導電体の酸化インジウムスズ(ITO)として用いられる。半導体においては、n型半導体として、集積回路の抵抗素子に用いられる。組織学においては、染色に用いられる。インジウム酸化インジウムスズ磁性半導体 ^ a b Marezio

塩化インジウム(III)

Anthony John Downs (1993). Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. ISBN 0-7514-0103-X ^ Main Group Metals in Organic Synthesis

セレン化ビスマス(III)

セレン化ビスマス(III)（セレンかビスマス、英: Bismuth selenide）はビスマスのセレン化物で、化学式Bi2Se3で表される無機化合物。半導体や熱電材料として利用される。化学量論的にはセレン化ビスマスは0.3eVのバンドギャップを持つ半導体であるが、天然由来のセレンは半金属の性質を

アンチモン化インジウム

1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし

リン化インジウム

単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

ヒ化インジウム

ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ

セレン化銀

セレン化銀（セレンかぎん、Ag2Se）とは銀とセレンの化合物でナウマン鉱（セレン銀鉱）として自然界に存在する。日本では北海道歌登鉱山や鹿児島県菱刈鉱山から産出する、アメリカでもネバダ州とアイダホ州の鉱山からのいくつかの低硫黄銀鉱石で重要な銀化合物として認識されるようになった比較的希少な銀鉱物である。