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-気体の原料を、基板の近傍で、熱やプラズマによって反応させて薄膜を生成する方法。 熱CVD 有機金属CVD(MOCVD) プラズマCVD 原子層堆積 融液法 -液相エピタキシー(LPE)など 溶液法 めっき ゾルゲル法 塗布法 スピンコート スプレー法 印刷 インクジェット 薄膜は膜の厚みによって分類され以下のようになる。 膜の厚みが数10μmならば厚膜
(B) が存在しない)である。主に液晶ディスプレイ (LCD) に応用されている。半導体活性層としてセレン化カドミウム (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体としてケイ素 (Si)
〖diode〗
用いられるLOWE膜もこの光学薄膜の一種であり、可視光線を透過しながら紫外線や赤外線、遠赤外線を反射する特性を有しており、夏のエアコンの負荷を軽減したり冬の暖房負荷を抑えたりする効果がある。 光学薄膜の一種に選択吸収膜がある。選択吸収膜は特定の波長域の吸収特性を高める(反射率を下げる)作用があり、太陽熱温水器等に使用される。
薄膜干渉(はくまくかんしょう)は、薄膜の上下の境界で反射された光波が互いに干渉し、特定の波長の反射光を増強又は低減させる自然現象である。 膜に光が入射した時、膜の上下の界面では、それぞれ光の反射が起こる。膜の厚さが光の1/4波長の奇数倍になると、両方からの反射波が干渉
光学薄膜の中で特に重要なのは、誘電体多層膜といわれるものである。これは、複数の透明誘電体材料の薄膜を数層から数十層積層したものである(材料としては、MgF2、CaF2などのフッ化物、SiO2、TiO2などの酸化物などがある)。材料の組み合わせや膜厚、層数を制御することにより、さまざまな光学特
ガン・ダイオード(英: Gunn diode)は、マイクロ波発振器などに使われるダイオードの一種。通常のダイオードがP型半導体とN型半導体から構成されるのに対し、ガン・ダイオードはN型半導体のみにより構成される。物理学者ジョン・B・ガン(英語版)の名に由来する。
空乏)。全体の容量 C {\displaystyle C} は酸化膜の容量 C o x {\displaystyle C_{ox}} と空乏層の容量 C d {\displaystyle C_{d}} との直列になるため、容量 C {\displaystyle C}