金属酸化膜半導体とは? - 日本語辞典 Mazii

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Các từ liên quan tới 金属酸化膜半導体

酸化物半導体

(Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)." ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based

金属半導体接合

接触整流器の特許を取得した。 1907年にジョージ・ワシントン・ピアース（英語版）は、学術雑誌フィジカル・レビューに、ダイオードの整流特性は多くの半導体上に多くの金属をスパッタリングすることによって作られることを示した論文を発表した。金属-半導体ダイオード整流器

半導体

半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則

半金属

半金属は通常、金属および非金属と並び立つ元素の第三の分類であると考えられているが、その包含する元素は、場合によっては（半金属ではなく）金属に分類されたり、（半金属ではなく）非金属に分類されたり、あるいは半金属に分類されながら、半金属という分類自体が金属・非金属いずれかのサブカテゴリであるとみなされたりする。

窒化物半導体

窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。従来の半導体に比べてバンドギャップの大きいワイドギャップ半導体であり、また