ケイ酸ハフニウム(IV) とは?

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ケイ酸ハフニウム(IV)

ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法（主にMOCVD）によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体（high-k dielectric）として使うことができる。塩化ハフニウム(IV) ケイ酸ジルコニウム(IV) 表示編集

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Các từ liên quan tới ケイ酸ハフニウム(IV)

酸化ハフニウム(IV)

酸化ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) oxide、ハフニア)とは、化学式HfO2であらわされる無機化合物である。無色の固体であり、ハフニウムの化合物のなかでは比較的安定な化合物の一つである。バンドギャップはおよそ6 eVで絶縁体。金属ハフニウムを得るための反応過程の中間体である。反応性は

ケイ酸

ケイ酸（ケイさん、珪酸、silicic acid）とは、化学式 [SiOx(OH)4−2x]n (例:ケイ酸ナトリウムはNa2SiO3)で表されるケイ素、酸素、水素の化合物の総称である。確認されているものとしては、オルトケイ酸 (H4SiO4)、メタケイ酸 (H2SiO3)、メタ二ケイ酸 (H2Si2O5)

硫化ハフニウム(IV)

硫化ハフニウム(IV)（りゅうかハフニウムよん、英: hafnium(IV) sulfide）はハフニウムの硫化物で、組成式が HfS2 と表される紫褐色の固体である。一般的には二硫化ハフニウムと呼ばれる。硫化ハフニウム(IV)は菱面体晶型の層状結晶構造を持ち、各層はハフニウムの層の両面を八面

臭化ハフニウム(IV)

臭化ハフニウム(IV)(Hafnium tetrabromide)は、化学式HfBr4の無機化合物である。ハフニウムの臭化物のうち、最も一般的なものである。無色で反磁性を持ち、湿気と反応しやすい固体で、真空中で昇華する。塩化ハフニウム(IV)が高分子構造を持つのと対照的に、四面体金属中心を持つ臭化

塩化ハフニウム(IV)

炭化ハフニウム(IV)(en:Hafnium(IV) carbide)を250 ℃以上の温度で塩素化反応させるたとえば2の方法では、下記反応式で示すように、酸化ハフニウム(IV)と炭素の混合物を塩素もしくは一塩化硫黄の気流下で加熱し、反応させることによって合成される。 HfO 2 + 4 Cl

ケイ酸塩

{\ce {[Si2O7]^{6-}}}} 、ベスブ石、緑簾石類など。サイクロケイ酸塩鉱物（環状） — [ Si n O 3 n ] 2 n − {\displaystyle {\ce {[Si_{n}O_{3n}]^{2n{}-}}}} 、緑柱石、電気石類など。イノケイ酸塩鉱物（単鎖状） — [

ケイ酸アルミニウム

アルミニウムシリケート（またはケイ酸アルミニウム, aluminum silicate）は、ケイ酸塩類の一種であり、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、水などが様々な割合で結合した組成物の総称である。自然の鉱物の形でも、合成したものも「 xAl2O3. ySiO2. zH2O 」の様な形で表される。例：

ケイ酸マグネシウム

ケイ酸マグネシウム(Magnesium silicate)は、ケイ酸陰イオンとマグネシウム陽イオンとのケイ酸塩である。組成はさまざまであり、分野などにより具体的にどのような組成を指しているかは異なることがある。水(H2O)を含んでいる場合は水和物となる。一般には x MgO ⋅ y SiO 2 ⋅ n