臭化ハフニウム(IV) とは? - 日本語辞典 Mazii

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臭化ハフニウム(IV)(Hafnium tetrabromide)は、化学式HfBr4の無機化合物である。ハフニウムの臭化物のうち、最も一般的なものである。無色で反磁性を持ち、湿気と反応しやすい固体で、真空中で昇華する。塩化ハフニウム(IV)が高分子構造を持つのと対照的に、四面体金属中心を持つ臭化

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酸化ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) oxide、ハフニア)とは、化学式HfO2であらわされる無機化合物である。無色の固体であり、ハフニウムの化合物のなかでは比較的安定な化合物の一つである。バンドギャップはおよそ6 eVで絶縁体。金属ハフニウムを得るための反応過程の中間体である。反応性は

硫化ハフニウム(IV)（りゅうかハフニウムよん、英: hafnium(IV) sulfide）はハフニウムの硫化物で、組成式が HfS2 と表される紫褐色の固体である。一般的には二硫化ハフニウムと呼ばれる。硫化ハフニウム(IV)は菱面体晶型の層状結晶構造を持ち、各層はハフニウムの層の両面を八面

炭化ハフニウム(IV)(en:Hafnium(IV) carbide)を250 ℃以上の温度で塩素化反応させるたとえば2の方法では、下記反応式で示すように、酸化ハフニウム(IV)と炭素の混合物を塩素もしくは一塩化硫黄の気流下で加熱し、反応させることによって合成される。 HfO 2 + 4 Cl

臭化チタン(IV)は、TiBr4(THF)2や[TiBr5]-等の付加物を作る。2-メチルピリジン(2-MePy)のような嵩高のドナーリガンドの場合は、五配位の付加物を作る。TiBr4(2-MePy)は、赤道平面にピリジンが配する両三角錐の構造を取る。

ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法（主にMOCVD）によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体（high-k dielectric）として使うことができる。塩化ハフニウム(IV) ケイ酸ジルコニウム(IV) 表示編集

炭化ハフニウム（たんかハフニウム、Hafnium carbide）は、ハフニウムと炭素から構成される化合物である。融点は約3890℃ で、既知の最も耐火性のある二元化合物である。しかし、耐酸化性は弱く、約430℃ で酸化が始まる。炭化ハフニウムは、通常炭素が欠けているため、しばしば HfCx (x

臭素と化合すること。また，化合していること。

〖hafnium〗

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