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酸化ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) oxide、ハフニア)とは、化学式HfO2であらわされる無機化合物である。無色の固体であり、ハフニウムの化合物のなかでは比較的安定な化合物の一つである。バンドギャップはおよそ6 eVで絶縁体。金属ハフニウムを得るための反応過程の中間体である。反応性は
臭化ハフニウム(IV)(Hafnium tetrabromide)は、化学式HfBr4の無機化合物である。ハフニウムの臭化物のうち、最も一般的なものである。無色で反磁性を持ち、湿気と反応しやすい固体で、真空中で昇華する。塩化ハフニウム(IV)が高分子構造を持つのと対照的に、四面体金属中心を持つ臭化
炭化ハフニウム(IV)(en:Hafnium(IV) carbide)を250 ℃以上の温度で塩素化反応させる たとえば2の方法では、下記反応式で示すように、酸化ハフニウム(IV)と炭素の混合物を塩素もしくは一塩化硫黄の気流下で加熱し、反応させることによって合成される。 HfO 2 + 4 Cl
硫化モリブデン(IV)(りゅうかモリブデン よん、英: molybdenum(IV) sulfide)はモリブデンの硫化物で、組成式が MoS2 と表される黒色の固体である。一般的には二硫化モリブデンと呼ばれる。輝水鉛鉱(輝モリブデン鉱)として天然に産出する。固体潤滑剤としてエンジンオイルの添加物等に用いられることがある。
硫化タングステン(IV)(りゅうかタングステン、英: Tungsten(IV) sulfide)は、タングステンと硫黄が化合した無機化合物で、化学式WS2で表される。天然には硫化タングステン鉱(英: tungstenite)として存在する。一般的には二硫化タングステンと呼ばれる。
SnS2)と同様、ヨウ化カドミウム型構造で結晶化する。このことはPbに4+の形式酸化数を割り当てるべきであることを示している。 p型半導体であり、熱電材料でもある。 ^ a b Silverman, M. S. (1966). “High-pressure (70-kilobar) Synthesis
ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法(主にMOCVD)によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体(high-k dielectric)として使うことができる。 塩化ハフニウム(IV) ケイ酸ジルコニウム(IV) 表示 編集
炭化ハフニウム (たんかハフニウム、Hafnium carbide)は、ハフニウムと炭素から構成される化合物である。融点は約3890℃ で、既知の最も耐火性のある二元化合物である。しかし、耐酸化性は弱く、約430℃ で酸化が始まる。 炭化ハフニウムは、通常炭素が欠けているため、しばしば HfCx (x