Ngôn ngữ
Không có dữ liệu
Thông báo
Không có thông báo mới
〖(ドイツ) Lutetium〗
〖hafnium〗
炭化ハフニウム (たんかハフニウム、Hafnium carbide)は、ハフニウムと炭素から構成される化合物である。融点は約3890℃ で、既知の最も耐火性のある二元化合物である。しかし、耐酸化性は弱く、約430℃ で酸化が始まる。 炭化ハフニウムは、通常炭素が欠けているため、しばしば HfCx (x
Shelykh, A. I. (2010). “Optical and dielectric characteristics of the rare-earth metal oxide Lu2O3”. Semiconductors 44 (5): 558–563. Bibcode: 2010Semic..44
ハフニウム(HafniumまたはHAFNIUM)は、国家支援型のハッカー集団。中国政府との関係が指摘されており、サイバースパイ活動や攻撃を行っているAPTの一つとしても知られている。 「ハフニウム」という名前はマイクロソフトによって付けられ、このグループを「高度な技術を持った洗練された脅威アクター」と表現した。
酸化ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) oxide、ハフニア)とは、化学式HfO2であらわされる無機化合物である。無色の固体であり、ハフニウムの化合物のなかでは比較的安定な化合物の一つである。バンドギャップはおよそ6 eVで絶縁体。金属ハフニウムを得るための反応過程の中間体である。反応性は
二ホウ化ハフニウム(Hafnium diboride)は、ハフニウムとホウ素からなるセラミックスの一種であり、超高温セラミックスに分類される。融点は、約3250℃である。同形の二ホウ化タンタルや二ホウ化ジルコニウムと同様に、比較的高い熱伝導率と電気伝導率を持つ。灰色の金属光沢をもつ。結晶は六方晶で、分子量は200
ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法(主にMOCVD)によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体(high-k dielectric)として使うことができる。 塩化ハフニウム(IV) ケイ酸ジルコニウム(IV) 表示 編集