Ngôn ngữ
Không có dữ liệu
Thông báo
Không có thông báo mới
ハフニウム(Hf)の標準原子量は178.49(2) uである。 Isotope masses from Ame2003 Atomic Mass Evaluation by G. Audi, A.H. Wapstra, C. Thibault, J. Blachot and O. Bersillon
酸化ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) oxide、ハフニア)とは、化学式HfO2であらわされる無機化合物である。無色の固体であり、ハフニウムの化合物のなかでは比較的安定な化合物の一つである。バンドギャップはおよそ6 eVで絶縁体。金属ハフニウムを得るための反応過程の中間体である。反応性は
炭化ハフニウム (たんかハフニウム、Hafnium carbide)は、ハフニウムと炭素から構成される化合物である。融点は約3890℃ で、既知の最も耐火性のある二元化合物である。しかし、耐酸化性は弱く、約430℃ で酸化が始まる。 炭化ハフニウムは、通常炭素が欠けているため、しばしば HfCx (x
76Hfと177Hf比率が必要でこれまで複数の同位体比が提唱されてきた。LuとHfでは、Luの方が固相に濃集する。Luは希土類で三価であるのに対し、Hfは遷移金属で四価になる。 隕石内に含まれるジルコン結晶内のHf同位体組成を高感度プラズマイオン源質量分析計で測定することで太陽系創世記の176Hf
ハフニウム(HafniumまたはHAFNIUM)は、国家支援型のハッカー集団。中国政府との関係が指摘されており、サイバースパイ活動や攻撃を行っているAPTの一つとしても知られている。 「ハフニウム」という名前はマイクロソフトによって付けられ、このグループを「高度な技術を持った洗練された脅威アクター」と表現した。
二ホウ化ハフニウム(Hafnium diboride)は、ハフニウムとホウ素からなるセラミックスの一種であり、超高温セラミックスに分類される。融点は、約3250℃である。同形の二ホウ化タンタルや二ホウ化ジルコニウムと同様に、比較的高い熱伝導率と電気伝導率を持つ。灰色の金属光沢をもつ。結晶は六方晶で、分子量は200
ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法(主にMOCVD)によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体(high-k dielectric)として使うことができる。 塩化ハフニウム(IV) ケイ酸ジルコニウム(IV) 表示 編集
硫化ハフニウム(IV)(りゅうかハフニウム よん、英: hafnium(IV) sulfide)はハフニウムの硫化物で、組成式が HfS2 と表される紫褐色の固体である。一般的には二硫化ハフニウムと呼ばれる。 硫化ハフニウム(IV)は菱面体晶型の層状結晶構造を持ち、各層はハフニウムの層の両面を八面