プレーナー型トランジスタとは?

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プレーナー型トランジスタ

1947年12月に点接触型トランジスタが開発されて以降、合金接合型トランジスタ、成長接合型トランジスタ、メサ型トランジスタのような接合型トランジスタが開発されてきたが、それぞれ生産性が低くかったり、品質(特に高周波特性)が安定していないなど、一長一短があった。合金接合型トランジスタは量産性に関しては比較的優れて

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Các từ liên quan tới プレーナー型トランジスタ

プレーナープロセス

によって開発され、1959年に登録された最初の特許である。フェアチャイルドの研究者たちは、被覆金属膜の堆積による集積回路の接合方法と、クルト・レホヴェックによるpn接合分離の概念により、単結晶シリコンブールをスライスして作られたウエハー上に回路を作ることに成功した。 1959年、ロバート・ノイスは

拡散型トランジスタ

拡散型トランジスタ（かくさんがたトランジスタ）とはトランジスタの一形式。 1947年12月にベル研究所で点接触型トランジスタが開発されたものの、品質(特に高周波特性)が安定せず、歩留まりも低いため、量産には適さなかった。その後、それらの欠点を改良した合金接合型、成長接合型のような接合型トランジスタ

トランジスタ

〖transistor〗

点接触型トランジスタ

特性のバラツキが大きく、品質管理が困難高周波には適さない振動に対して弱い初期のラジオやコンピュータなどに使用されたが、接合型トランジスタの普及により、短期間で廃れた。 ^ a b c d “半導体の歴史その5 20世紀前半トランジスターの誕生” (PDF), SEAJ Journal 3 (119): 12-19, (2009)

トランジスタ・コンピュータ

った。1950年代後半から1960年代にかけて登場した第2世代コンピュータは、個別のトランジスタと磁気コアメモリで満たされた回路基板を特徴としていた。1960年代後半に集積回路が登場し始めるころまで、これが主流の設計であった。マンチェスター大学の実験的なトランジスタ・コンピュータは1953年11月

合金接合型トランジスタ

接合型トランジスタである成長接合型トランジスタが試作され、続いて1951年には合金型トランジスタがRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された。当初、成長接合型トランジスタは品質が安定していなかったため、大量生産には適しておらず、合金接合型トランジスタは最初に大量生産された接合

表面障壁型トランジスタ

表面障壁型トランジスタ（ひょうめんしょうへきがたトランジスタ）は、トランジスタの一形式。 1951年にRCAとゼネラル・エレクトリックで開発された合金接合型トランジスタの改良型で点接触型トランジスタとも似ている。初期のトランジスタはベース層が厚いため、高周波特性が真空管よりも劣っていた。PN接合では電流の輸送が